Prediksi Transport Kuantum yang Dipengaruhi Oleh Keberadaan Double Finger Gates yang Dialiri Arus AC

*Moh. Erlangga Aditya Rifandi  -  Department of Mechanical Engineering, Universitas Diponegoro, Jl. Prof. Sudarto, SH, Tembalang, Semarang, Indonesia 50275, Indonesia
Joga Dharma Setiawan  -  Department of Mechanical Engineering, Universitas Diponegoro, Jl. Prof. Sudarto, SH, Tembalang, Semarang, Indonesia 50275, Indonesia
Rifky Ismail  -  Department of Mechanical Engineering, Universitas Diponegoro, Jl. Prof. Sudarto, SH, Tembalang, Semarang, Indonesia 50275, Indonesia

Citation Format:
Abstract

Penelitian analisis numerik dilakukan pada transportasi kuantum dalam struktur gerbang split tipe-N dengan adanya perangkat AC Double Finger Gates. Konduktansi kuantum dihitung untuk tiga parameter yang berbeda untuk melihat efek dari masing-masing parameter terhadap konduktansi kuantum. Efek amplitudo energi potensial , jarak antara dua Finger Gate (d), dan parameter pengikat  dihitung. Hasilnya menunjukkan bahwa setiap parameter mempengaruhi hasil konduktansi kuantum, dan berbagai Quasi-Bond  States (QBS) terbentuk. Amplitudo energi potensial , dan jarak antara dua gerbang jari (d) secara relatif mempengaruhi jumlah transmisi resonansi elektron dan reflektansi resonansi elektron. Selain itu, parameter pengikat  mempengaruhi berapa banyak QBS yang terbentuk, semakin rendah nilai parameter pengikat , semakin banyak QBS yang terbentuk. Analisis teoritis yang dilakukan dalam penulisan ini akan memberikan instruksi awal untuk desain perangkat yang dikendalikan oleh gerbang tipe-N dengan adanya perangkat AC Double Finger Gates, yang dapat digunakan dalam industri semikonduktor.

Fulltext View|Download
Keywords: double finger gate; perangkat gerbang split; tipe-n; transport kuantum
Article Info
Section: Articles
Language : ID
Recent articles
PENGARUH FRAKSI MASSA SERAT DAN VARIASI PLASTICIZER TERHADAP KEKUATAN LENTUR KOMPOSIT BERPENGUAT SERAT RAMI DENGAN MATRIKS GONDORUKEM PENGARUH FRAKSI MASSA, KOMPOSISI, DAN TREATMENT SERAT TERHADAP KEKUATAN UJI TARIK KOMPOSIT BERPENGUAT SERAT RAMI DENGAN MATRIKS GONDORUKEM PENGARUH DEEP PRESSURE TERHADAP KONDUKTANSI KULIT ANAK SEKOLAH DASAR DENGAN MENGGUNAKAN SENSOR FISOLOGIS GALVANIC SKIN RESPONSE More recent articles
  1. M. Dan, G. Hu, L. Li, and Y. Zhang, “High performance quantum piezotronic tunneling transistor based on edge states of MoS2 nanoribbon,” Nano Energy, vol. 98, p. 107275, 2022, doi: https://doi.org/10.1016/j.nanoen.2022.107275
  2. D. K. Ferry, J. Weinbub, M. Nedjalkov, and S. Selberherr, “A review of quantum transport in field-effect transistors,” Semicond. Sci. Technol., vol. 37, no. 4, p. 43001, 2022, doi: 10.1088/1361-6641/ac4405
  3. R. Liu, G. Hu, M. Dan, Y. Zhang, L. Li, and Y. Zhang, “Piezotronic spin and valley transistors based on monolayer MoS2,” Nano Energy, vol. 72, p. 104678, 2020, doi: https://doi.org/10.1016/j.nanoen.2020.104678
  4. C. Niu, G. Qiu, Y. Wang, M. Si, W. Wu, and P. D. Ye, “Bilayer Quantum Hall States in an n-Type Wide Tellurium Quantum Well,” Nano Lett., vol. 21, no. 18, pp. 7527–7533, Sep. 2021, doi: 10.1021/acs.nanolett.1c01705
  5. K. von Klitzing, “The quantized Hall effect,” Rev. Mod. Phys., vol. 58, no. 3, pp. 519–531, Jul. 1986, doi: 10.1103/RevModPhys.58.519
  6. C. W. J. Beenakker and H. van Houten, “Quantum Transport in Semiconductor Nanostructures,” Solid State Phys. - Adv. Res. Appl., vol. 44, no. C, pp. 1–228, 1991, doi: 10.1016/S0081-1947(08)60091-0
  7. C. S. Tang, Y. Y. Chen, Q. H. Phan, N. R. Abdullah, and V. Gudmundsson, “AC-gate controlled transport sideband spectroscopy in GaAs quantum channels,” Phys. Lett. Sect. A Gen. At. Solid State Phys., vol. 419, Dec. 2021, doi: 10.1016/j.physleta.2021.127755
  8. W. A. Chen, Q. H. Phan, C. S. Tang, N. R. Abdullah, and V. Gudmundsson, “Quantum transport in p-type narrow channel with DC-biased double finger gate,” Phys. Lett. Sect. A Gen. At. Solid State Phys., vol. 439, Jul. 2022, doi: 10.1016/j.physleta.2022.128140
  9. G. R. Aǐzin, G. Gumbs, and M. Pepper, “Screening of the surface-acoustic-wave potential by a metal gate and the quantization of the acoustoelectric current in a narrow channel,” Phys. Rev. B, vol. 58, no. 16, pp. 10589–10596, Oct. 1998, doi: 10.1103/PhysRevB.58.10589
  10. C. S. Tang, J. A. Keng, N. R. Abdullah, and V. Gudmundsson, “Spin magneto-transport in a Rashba–Dresselhaus quantum channel with single and double finger gates,” Phys. Lett. Sect. A Gen. At. Solid State Phys., vol. 381, no. 17, pp. 1529–1533, 2017, doi: 10.1016/j.physleta.2017.03.005
  11. H. Z. Zheng, H. P. Wei, D. C. Tsui, and G. Weimann, “Gate-controlled transport in narrow GaAs/AlxGa1−x As heterostructures,” Phys. Rev. B, vol. 34, no. 8, pp. 5635–5638, Oct. 1986, doi: 10.1103/PhysRevB.34.5635
  12. C. S. Tang, Y. Y. Chen, Q. H. Phan, N. R. Abdullah, and V. Gudmundsson, “AC-gate controlled transport sideband spectroscopy in GaAs quantum channels,” Phys. Lett. Sect. A Gen. At. Solid State Phys., vol. 419, 2021, doi: 10.1016/j.physleta.2021.127755

Last update:

No citation recorded.

Last update:

No citation recorded.